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瑞穗：中國長鑫存儲產能受限，DRAM市場供給過剩擔憂被誇大
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瑞穗證券（Mizuho）最新報告指出，市場對於中國記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）可能引發 DRAM 市場供給過剩並衝擊價格的擔憂，可能被過度誇大。該行分析師認為，長鑫存儲面臨多項實質限制，其產能擴張速度將難以撼動全球市場格局。
產能擴張面臨多重限制
瑞穗證券的技術領域專家 Jordan Klein 在報告中詳細說明，長鑫存儲的擴張並不會如外界擔憂般「透過大量增產來衝擊價格」。該公司面臨幾項關鍵瓶頸，將限制其產能的快速增長：
- 設備取得與維護： 報告引述，應用材料（Applied Materials）和科林研發（Lam Research）已於 2026 年 3 月暫停對長鑫存儲現有設備的維護服務。此外，其許多設備機齡已達十年，面臨汰換與產線升級的壓力。
- 先進製程挑戰： 由於缺乏關鍵的極紫外光（EUV）微影設備，長鑫存儲在邁向更先進製程節點時將遭遇重大阻礙。同時，報告預期該公司在 2027 年進行節點轉換時，將面臨良率壓力。
- 政策導向轉變： 分析指出，中國政府期望長鑫存儲將更多產能分配給高頻寬記憶體（HBM），而非傳統的 DRAM，這將降低後者市場的供給壓力。
對市場影響的量化分析
Ad瑞穗證券的日本團隊預估，長鑫存儲的 DRAM 位元供給年增率在 2027 年僅為 13%，顯著低於整體產業預估的 21%。屆時，長鑫存儲的全球市佔率約為 8%。
從長期來看，該行預測長鑫存儲在 2026 至 2028 年間的年複合成長率（CAGR）為 24%，與 DRAM 產業的整體增速基本一致。這項數據表明，長鑫存儲的擴張策略並非意圖透過低價搶市的「輕率擴張」。
投資意涵
瑞穗的分析意味著，對於既有的記憶體大廠而言，來自中國的競爭壓力在未來幾年可能不如市場先前預期的那樣劇烈。長鑫存儲在 HBM 技術方面仍「嚴重落後」，且其客戶主要集中在中國國內，並未向中國以外的超大規模資料中心業者銷售，這也限制了其對全球定價動態的影響力。