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分析师：多重制约下长鑫存储恐难颠覆DRAM市场
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针对市场日益增长的关于中国内存制造商长鑫存储（CXMT）将大幅扩产并冲击全球DRAM价格的担忧，瑞穗银行（Mizuho）在其最新报告中提出不同看法，认为这些担忧可能被过分夸大。
增长预测显示扩张步伐稳健
瑞穗银行的科技行业专家 Jordan Klein 在报告中指出，该行的日本团队更新了对长鑫存储的看法，以回应市场对其可能在未来两年通过大规模增产打压价格的疑虑。
该行预测，到2027年，长鑫存储的DRAM位元供给年增长率预计为 13%，低于行业整体 21% 的平均水平。届时，该公司在全球市场的份额预计将维持在 8% 左右。从2026年至2028年，长鑫存储的复合年均增长率（CAGR）预计为 24%，与整个DRAM行业基本持平。这些数据表明，长鑫存储并未计划通过激进的定价策略进行“鲁莽的产能扩张”以抢占市场份额。
多重因素限制产能释放
Ad瑞穗银行分析称，长鑫存储的扩张能力面临多重现实制约，这削弱了其对全球市场构成颠覆性冲击的可能性。
- 设备与服务限制：报告提到，应用材料（Applied Materials）和泛林集团（Lam Research）已于2026年3月暂停对长鑫存储现有设备的维护服务。此外，其部分设备已使用近10年，老化严重，亟需更新换代。
- 技术瓶颈：缺乏先进的极紫外光刻（EUV）设备是一个“主要制约因素”。同时，公司在2027年进行节点转换的过程中，可能会面临良率压力。
- 战略重心转移：分析师补充说，中国政府希望长鑫存储将更多产能分配给高带宽内存（HBM），而非传统的DRAM产品，这降低了传统DRAM市场的供给过剩风险。
报告进一步指出，长鑫存储在HBM技术方面“严重落后”，且其产品并未销售给中国以外的超大规模数据中心客户（hyperscalers），这进一步限制了其对全球定价动态的影响力。