傳SK海力士考慮採用英特爾代工HBM4E基礎晶片 以分散供應鏈

根據韓國《先驅經濟報》（Herald Economy）引述業界消息報導，全球領先的記憶體製造商SK海力士（SK Hynix）正考慮將其下一代HBM4E記憶體的基礎晶片（base die）生產外包給英特爾晶圓代工（Intel Foundry）。此舉旨在分散目前對台積電（TSMC）的依賴，建立更多元的供應鏈。

尋求供應鏈多元化

報導指出，SK海力士可能最早從其第七代HBM產品 HBM4E 開始，同時與台積電及英特爾合作生產基礎晶片。此策略將為SK海力士在產能與成本方面提供更多選擇，同時降低對單一晶圓代工廠的依賴風險。

隨著HBM設計日趨複雜，基礎晶片的重要性顯著提升。SK海力士從HBM4開始，已將基礎晶片的生產從內部製造轉向委外代工，目前採用台積電的 12奈米級製程。

成本壓力成關鍵考量

基礎晶片是HBM堆疊底部的邏輯層，負責控制記憶體與外部處理器之間的介面。據《先驅經濟報》引述的業界估算，台積電生產的HBM4基礎晶片成本，約為核心DRAM晶片的三到四倍，這對SK海力士構成顯著的成本壓力。

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由於HBM產業多採長期供應合約，使製造商難以立即將增加的代工成本轉嫁給客戶。因此，引入英特爾作為第二供應商，將有助於SK海力士在價格談判和供應安全上獲得更大籌碼，並在客製化HBM需求增長時建立多供應商的製造結構。

合作範圍與市場前景

潛在的合作不僅限於基礎晶片製造。報導稱，SK海力士也一直在評估台積電與英特爾的先進封裝技術，包括台積電的 CoWoS-S 和 CoWoS-L，以及英特爾的 EMIB 技術。

不過，該報導強調，與英特爾的合作仍處於「考慮中」的計畫階段，尚未最終敲定。因此，任何生產合作的具體範圍和時間表仍不明朗。