SK Hynix พิจารณาจ้าง Intel Foundry ผลิตชิ้นส่วนสำหรับ HBM4E หวังลดการพึ่งพา TSMC

SK Hynix ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ของเกาหลีใต้ กำลังพิจารณาจ้าง Intel Foundry ให้ผลิต "เบสได" (Base Die) ซึ่งเป็นชิ้นส่วนลอจิกสำหรับหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) รุ่นที่เจ็ดอย่าง HBM4E เพื่อกระจายห่วงโซ่อุปทานและลดการพึ่งพา Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) ตามรายงานของ Herald Economy โดยอ้างแหล่งข่าวในอุตสาหกรรม

ทำไมต้องหาซัพพลายเออร์เพิ่ม

ปัจจุบัน SK Hynix ใช้บริการของ TSMC ในการผลิตเบสไดสำหรับหน่วยความจำ HBM4 ด้วยกระบวนการผลิตระดับ 12 นาโนเมตร อย่างไรก็ตาม รายงานระบุว่าต้นทุนการผลิตเบสไดของ TSMC นั้นสูงกว่าต้นทุนของแกนหลัก DRAM (Core DRAM Die) ถึง 3-4 เท่า ซึ่งสร้างภาระด้านต้นทุนอย่างมีนัยสำคัญ

การเพิ่ม Intel เข้ามาในห่วงโซ่อุปทานจะช่วยให้ SK Hynix มีทางเลือกด้านกำลังการผลิตและต้นทุนมากขึ้น นอกจากนี้ยังช่วยเพิ่มอำนาจต่อรองด้านราคาและความมั่นคงของอุปทาน ลดความเสี่ยงจากการพึ่งพาโรงหล่อชิปเพียงแห่งเดียว โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อความต้องการ HBM แบบปรับแต่งพิเศษ (Customized HBM) เพิ่มสูงขึ้น

ความสำคัญของ Base Die

เบสได (Base Die) คือชิปวงจรลอจิกที่อยู่ชั้นล่างสุดของสแต็กหน่วยความจำ HBM ทำหน้าที่ควบคุมการเชื่อมต่อระหว่างหน่วยความจำกับโปรเซสเซอร์ภายนอก เช่น GPU และ CPU ความสำคัญของชิ้นส่วนนี้เพิ่มขึ้นตามความซับซ้อนของ HBM แต่ละรุ่น ทำให้ SK Hynix เปลี่ยนจากการผลิตเบสไดด้วยตนเอง (จนถึงรุ่น HBM3E) มาเป็นการจ้างผลิตภายนอกสำหรับ HBM4

Ad

กลยุทธ์นี้อาจขยายไปไกลกว่าการผลิตเบสได โดย Herald Economy รายงานว่า SK Hynix กำลังประเมินเทคโนโลยีการแพ็กเกจชิปขั้นสูงจากทั้ง TSMC (เช่น CoWoS-S และ CoWoS-L) และ Intel (เช่น EMIB) ควบคู่กันไปด้วย

ยังอยู่ในขั้นพิจารณา

รายงานของ Herald Economy ย้ำว่าความร่วมมือกับ Intel ยังคงเป็น "แผนที่อยู่ระหว่างการพิจารณา" และยังไม่ได้เป็นข้อตกลงที่สรุปแล้ว ดังนั้น ขอบเขตและช่วงเวลาของการมีส่วนร่วมในการผลิตของ Intel จึงยังไม่ชัดเจน

ข่าวดังกล่าวมีขึ้นในขณะที่ SK Hynix กำลังขยายโรดแมป HBM รุ่นต่อไป โดยในเดือนมิถุนายนที่ผ่านมา บริษัทได้จัดส่งตัวอย่าง HBM4E แบบ 12 ชั้นให้กับลูกค้ารายใหญ่แล้ว ซึ่งออกแบบมาเพื่อมอบประสิทธิภาพที่สูงขึ้นและประหยัดพลังงานมากกว่ารุ่นก่อนหน้าถึง 20%