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SK하이닉스, HBM4E 베이스 다이 생산에 인텔 파운드리 활용 검토
SK하이닉스가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E의 핵심 부품 '베이스 다이(base die)' 생산을 위해 인텔 파운드리와 협력하는 방안을 검토하고 있는 것으로 전해졌다. 헤럴드경제는 월요일 업계 소식통을 인용해, SK하이닉스가 현재 대만 TSMC에 전적으로 의존하고 있는 베이스 다이 공급망을 다각화하기 위한 전략의 일환으로 이같이 고려 중이라고 보도했다.
공급망 다각화 및 원가 절감 목표
이번 검토는 공급 안정성을 높이고 원가 경쟁력을 확보하려는 SK하이닉스의 전략적 판단에 따른 것이다. 베이스 다이는 HBM 스택의 가장 아래에 위치하여 GPU, CPU 등 외부 프로세서와의 인터페이스를 제어하는 핵심 로직 반도체다.
현재 SK하이닉스는 HBM4 제품의 베이스 다이 생산에 TSMC의 12나노급 공정을 사용하고 있다. 그러나 업계에서는 TSMC의 HBM4 베이스 다이 생산 비용이 핵심 D램 다이보다 3~4배 높아 상당한 원가 부담으로 작용하고 있다고 추정한다. 인텔을 새로운 공급사로 추가할 경우, SK하이닉스는 가격 협상력과 공급 안정성을 동시에 확보하며 맞춤형 HBM 수요 증가에 대응하는 멀티 벤더(multi-vendor) 체제를 구축할 수 있게 된다.
AdHBM 기술 경쟁과 시장 영향
HBM 기술이 고도화되면서 베이스 다이의 중요성은 더욱 커지고 있다. 이에 SK하이닉스는 HBM3E까지 내부에서 생산하던 베이스 다이를 HBM4부터 파운드리에 위탁 생산하는 방식으로 전환했다. 인텔과의 잠재적 협력은 베이스 다이 생산을 넘어 첨단 패키징 기술로 확장될 가능성도 제기된다. SK하이닉스는 TSMC의 'CoWoS' 기술과 인텔의 'EMIB' 등 양사의 첨단 패키징 기술을 모두 평가해 온 것으로 알려졌다.
한편, SK하이닉스는 지난 6월 주요 고객사에게 12단 HBM4E 제품의 샘플을 출하했다고 밝히는 등 차세대 HBM 로드맵을 확장하고 있다. 해당 제품은 이전 세대보다 전력 효율이 20% 이상 향상된 것이 특징이다. 헤럴드경제는 이번 인텔과의 협력은 아직 확정된 계약이 아닌 '검토 중인 계획' 단계라고 전해, 실제 생산 참여 범위와 시기는 유동적인 상황이다.