消息人士称，尽管良率较低，中国CXMT仍将开始生产HBM3E。

据两位知情人士透露，中国领先的内存芯片制造商长信存储科技（CXMT）计划启动先进的HBM3E内存的生产，尽管其生产良率极低。此举凸显了中国高带宽内存（HBM）的严重短缺，而HBM是人工智能处理器的关键组件。面对美国的出口管制，中国正努力构建本土半导体供应链。

生产挑战

据报道，中国最大的DRAM生产商长信存储科技已向多家国内人工智能芯片设计公司寄送了HBM3E芯片样品，并预计将在未来两个月内开始小规模生产。然而，生产过程效率低下。

• 据报道，生产良率（衡量生产线上可用芯片百分比）仅为20%至30%。
• 这一数字与市场领导者SK海力士类似产品约70%的良率形成鲜明对比。低良率导致生产成本异常高昂，因为很大一部分产品必须报废，预计这将使CXMT的HBM3E芯片比国际竞争对手的同类芯片价格更高。

消息人士还指出，在测试中，CXMT的HBM3E性能更接近SK海力士的上一代HBM3，凸显了其与全球领先厂商的技术差距。

市场影响和背景

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CXMT坚持推进成本高昂、良率低的生产，反映了中国人工智能企业的强劲需求。自2024年12月美国收紧对华HBM产品出口管制以来，这些公司一直难以获得足够的先进内存来扩大生产规模。据路透社此前报道，这种短缺已迫使华为和寒武纪等中国人工智能芯片制造商将价格提高了20%至50%。

CXMT坚持推进HBM3E的生产，旨在提供一种国产替代方案，即使其效率较低且价格更高。这项战略举措直接回应了中国企业在获取高带宽内存（HBM）方面面临的困境。HBM是训练和运行驱动现代人工智能的大型语言模型所必需的。

竞争格局

全球HBM市场由少数几家主要厂商主导。根据Counterpoint Research第二季度的数据，SK海力士占据了50%的市场份额，其次是三星电子（33%）和美光科技（18%）。尽管CXMT是全球第四大传统DRAM供应商，市场份额为10%，但在专用HBM领域仍远远落后。

国际竞争对手已在向下一代技术迈进。三星在7月份宣布已向主要客户交付了HBM4E样品，这使得CXMT在高带宽内存的商业化生产方面至少落后一代。美国对先进芯片制造设备的限制也持续阻碍着中国企业缩小这一技术差距的努力。