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消息人士稱，儘管良率較低，中國CXMT仍將開始生產HBM3E。
據兩位知情人士透露，中國領先的記憶體晶片製造商長信儲存科技（CXMT）計劃啟動先進的HBM3E記憶體的生產，儘管其生產良率極低。此舉凸顯了中國高頻寬記憶體（HBM）的嚴重短缺，而HBM是人工智慧處理器的關鍵元件。面對美國的出口管制，中國正努力建構本土半導體供應鏈。
生產挑戰
據報道，中國最大的DRAM生產商長信儲存科技已向多家國內人工智慧晶片設計公司寄送了HBM3E晶片樣品，並預計在未來兩個月內開始小規模生產。然而，生產過程效率低。
- 據報道，生產良率（衡量生產線上可用晶片百分比）僅20%至30%。
- 這個數字與市場領導者SK海力士類似產品約70%的良率形成鮮明對比。低良率導致生產成本異常高昂，因為很大一部分產品必須報廢，預計這將使CXMT的HBM3E晶片比國際競爭對手的同類晶片價格更高。
消息人士也指出，在測試中，CXMT的HBM3E性能更接近SK海力士的上一代HBM3，凸顯了其與全球領先廠商的技術差距。
市場影響與背景
AdCXMT堅持推動成本高昂、良率低的生產，反映了中國人工智慧企業的強勁需求。自2024年12月美國收緊對華HBM產品出口管制以來，這些公司一直難以獲得足夠的先進記憶體來擴大生產規模。根據路透社先前報導，這種短缺已迫使華為和寒武紀等中國人工智慧晶片製造商將價格提高了20%至50%。
CXMT堅持推進HBM3E的生產，旨在提供一種國產替代方案，即使其效率較低且價格更高。這項策略措施直接回應了中國企業在取得高頻寬記憶體（HBM）方面所面臨的困境。 HBM是訓練和運行驅動現代人工智慧的大型語言模型所必需的。
競爭格局
全球HBM市場由少數幾家主要廠商主導。根據Counterpoint Research第二季的數據，SK海力士佔了50%的市場份額，其次是三星電子（33%）和美光科技（18%）。儘管CXMT是全球第四大傳統DRAM供應商，市佔率為10%，但在專用HBM領域仍遠遠落後。
國際競爭對手已在向下一代技術邁進。三星在7月宣布已向主要客戶交付了HBM4E樣品，這使得CXMT在高頻寬記憶體的商業化生產方面至少落後一代。美國對先進晶片製造設備的限制也持續阻礙中國企業縮小這項技術差距的努力。