Samsung จับมือ Broadcom ขยายความร่วมมือชิป AI มูลค่ากว่า 2 แสนล้านดอลลาร์

Samsung Electronics เปิดเผยว่าได้บรรลุข้อตกลงกับ Broadcom ผู้ออกแบบชิปชั้นนำของสหรัฐฯ เพื่อขยายความร่วมมือครั้งสำคัญ ครอบคลุมทั้งธุรกิจหน่วยความจำ, การรับจ้างผลิตชิป (foundry) และเทคโนโลยีการประกอบชิปขั้นสูง โดยคาดว่าจะมีมูลค่ารวมเกิน 2 แสนล้านดอลลาร์สหรัฐ จนถึงปี 2030

รายละเอียดความร่วมมือ

ข้อตกลงดังกล่าว ซึ่งอยู่ในรูปแบบของบันทึกความเข้าใจ (MOU) เป็นการผนึกกำลังระหว่างความเชี่ยวชาญของ Broadcom ในการออกแบบชิปวงจรรวมเฉพาะทาง (ASICs) สำหรับงานประมวลผล AI เข้ากับศักยภาพการผลิตขั้นสูงของ Samsung

• เทคโนโลยีการผลิต: ชิปสื่อสารยุคถัดไปของ Broadcom ซึ่งออกแบบมาเพื่อการถ่ายโอนข้อมูลความเร็วสูง จะถูกผลิตด้วยเทคโนโลยีกระบวนการผลิตที่ต่ำกว่า 2 นาโนเมตรของ Samsung
• หน่วยความจำขั้นสูง: ทั้งสองบริษัทจะร่วมมือกันพัฒนาผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (High-Bandwidth Memory - HBM) รุ่นต่อไป
• ระยะเวลา: ความร่วมมือนี้ถูกวางกรอบไว้ในระยะเวลา 5 ปีข้างหน้า เพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นของชิปประมวลผล AI แบบกำหนดเอง

ความสำคัญต่อธุรกิจและตลาด

การได้รับสัญญาการผลิตระยะยาวจาก Broadcom ซึ่งเป็นหนึ่งในผู้ออกแบบชิป AI แบบกำหนดเอง (custom AI chip) รายใหญ่ที่สุดของโลก ถือเป็นชัยชนะครั้งสำคัญสำหรับธุรกิจ foundry ของ Samsung การเคลื่อนไหวนี้จะช่วยเพิ่มอัตราการใช้กำลังการผลิตในโรงงานที่ใช้เทคโนโลยีขั้นสูง และเสริมความแข็งแกร่งในการแข่งขันกับผู้นำตลาดอย่าง TSMC

Ad

Samsung ระบุในแถลงการณ์ว่า "ความร่วมมือที่ขยายออกไปนี้สะท้อนถึงการมุ่งเน้นของ Samsung ในการสนับสนุนลูกค้าด้วยเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์แบบครบวงจร สำหรับการใช้งานด้าน AI และคอมพิวเตอร์ประสิทธิภาพสูง (HPC) ที่หลากหลายมากขึ้น"

บริบทการแข่งขันในอุตสาหกรรม

ข้อตกลงนี้เกิดขึ้นในขณะที่บริษัทเทคโนโลยีระดับโลกหันมาพัฒนาชิปประมวลผล AI (AI accelerators) แบบกำหนดเองมากขึ้น แทนที่จะพึ่งพาหน่วยประมวลผลกราฟิก (GPU) เพียงอย่างเดียว แนวโน้มดังกล่าวส่งผลให้ความต้องการสำหรับพันธมิตรด้านการออกแบบและผลิตชิปเฉพาะทางเพิ่มสูงขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ

ความร่วมมือกับ Broadcom เป็นส่วนหนึ่งของกลยุทธ์เชิงรุกของ Samsung ในการช่วงชิงส่วนแบ่งตลาดเซมิคอนดักเตอร์สำหรับ AI โดยก่อนหน้านี้บริษัทได้มีการเจรจากับ Jensen Huang ซีอีโอของ Nvidia เกี่ยวกับความร่วมมือด้าน foundry และหน่วยความจำ HBM4E และ HBM5 ในอนาคต