SK海力士斥資40億美元於印第安納州建HBM封裝廠 預計2029年下半量產

韓國記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）週四於美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）舉行動土典禮，正式啟動其在美國首座高頻寬記憶體（HBM）先進封裝廠的建設計畫。此項投資案金額超過 40億美元，是SK海力士深化美國市場佈局、搶佔AI商機的關鍵一步。

設廠細節與時程

根據SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）在典禮上的說明，這座佔地133.5英畝的廠房，其無塵室預計將於 2028年10月前 完工，並計畫在 2029年下半年 開始量產次世代HBM產品。

郭魯正表示，該廠一旦全面投入營運，預計將直接僱用約1,000名員工。若計入建設、營運及相關產業鏈，總體可望創造約 7,000個 直接與間接的工作機會。

美國《晶片法案》支持與供應鏈在地化

此項投資案獲得了美國政府依據2022年《晶片與科學法案》（Chips and Science Act）所提供的支持。SK海力士將獲得最高 4.58億美元 的直接資金補助，以及最高 5億美元 的貸款額度。

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SK海力士表示，未來在韓國生產的晶圓將運至印第安納州新廠進行封裝與測試，再交付給美國客戶。為建立在地供應鏈，公司正在評估超過100家潛在的材料、零組件與設備供應商。

鞏固AI市場領導地位

高頻寬記憶體是輝達（Nvidia Corp.）等公司開發的先進AI加速系統中不可或缺的關鍵零組件。SK海力士此舉旨在就近服務美國AI客戶，鞏固其在HBM市場的領導地位。

郭魯正在活動中強調：「我們將擴大在美國的投資與合作，共同成長，並成為塑造美國AI未來最值得信賴的合作夥伴。」目前，SK海力士是僅次於三星電子的韓國第二大上市公司。