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SK海力士斥資逾40億美元於印第安納州建廠 鞏固AI記憶體封裝龍頭地位
南韓記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）於週四（8月27日）為其在美國印第安納州投資超過40億美元的先進封裝暨研究設施舉行動土典禮。此舉旨在擴大其在美國的業務版圖，以滿足人工智慧（AI）應用對高階記憶體晶片日益增長的需求。
根據SK海力士的官方聲明，這座位於普渡大學研究園區（Purdue Research Park）的廠房，預計將於2028年下半年開始潔淨室營運。該廠不僅將設立一條次世代高頻寬記憶體（HBM）的封裝產線，還將包含一座AI半導體研發中心。
戰略佈局與市場影響
這項投資是SK海力士擴大其AI記憶體業務的關鍵一步，使其生產基地更貼近Nvidia、微軟（Microsoft）和Google等美國主要客戶。同時，此舉也能強化與普渡大學的研究合作關係，並培養在地工程人才，有助於提升美國本土的先進封裝產能。
隨著科技巨頭競相投資建置AI資料中心，市場對HBM的需求急劇飆升。HBM是一種透過垂直堆疊晶片以實現更快資料處理速度和更低功耗的特製記憶體，技術門檻較高，使供應商擁有更大的定價能力。根據研究機構Counterpoint Research的數據，SK海力士在2026年第一季以營收計算，佔據全球HBM市場58%的份額，遙遙領先於三星電子和美光科技。
Ad政府支持與投資背景
此專案也獲得了美國政府的大力支持。根據報導，美國政府已於2024年12月依據《晶片法案》（CHIPS Act）批准向該計畫提供4.58億美元的補助，以及最高5億美元的貸款。SK海力士預期，該設施及相關供應鏈投資將在當地創造約7,000個直接與間接就業機會。
SK海力士最初於2024年宣布與印第安納州官員達成38.7億美元的投資協議，目前總投資額已增至超過40億美元。此為該公司全球擴張策略的一部分，其董事會本月稍早也批准了在2031年前約54.3兆韓元（約383億美元）的投資計畫，主要用於擴建其在南韓的晶圓廠。