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ASML攜手晶片大廠 開發High-NA EUV大尺寸晶片製造技術
荷蘭半導體設備製造商艾司摩爾 (ASML) 宣布，計劃與主要客戶合作，為其最先進的微影設備開發製造大型晶片的能力，此舉旨在滿足輝達 (Nvidia) 等公司設計的大尺寸資料中心晶片需求。
技術瓶頸與解決方案
ASML 的微影設備是晶片製造的核心，透過光線穿透被稱為「光罩」的晶片設計圖樣，將電路印刷到矽晶圓上。該公司目前廣泛使用的極紫外光 (EUV) 設備，可生產最大約 800 平方毫米的晶片，滿足了當前如輝達、Google 等公司設計的頂級晶片尺寸。
然而，ASML 即將推出的下一代「高數值孔徑」(High-NA) EUV 設備，雖然能印刷更精細的電路，但受限於較小的光罩尺寸，目前無法生產同樣大的晶片。為了解決此瓶頸，ASML 計劃開發適用於 High-NA 設備的大尺寸光罩，使其能製造與當今最大資料中心晶片尺寸相當的產品。
產業巨頭動態與時程
此項技術升級對於推動 High-NA 設備的廣泛應用至關重要。目前英特爾 (Intel) 已開始使用此最新設備生產筆記型電腦晶片，但台積電 (TSMC) 和三星電子 (Samsung Electronics) 尚未將其用於高產量生產。
各家大廠已提出導入時程：
Ad- SK海力士 (SK Hynix)：正評估加入該技術聯盟，目標在 2028年 將 High-NA EUV 技術應用於 DRAM 量產。
- 三星 (Samsung)：計劃在 2028年 前將 High-NA EUV 技術導入 DRAM 記憶體晶片的量產。
- 台積電 (TSMC)：計劃自 2030年 起，在先進節點的量產中使用 ASML 的 High-NA 技術。
根據 ASML 的規劃，採用大尺寸光罩的試產線預計於 2031年 亮相，並在 2033年 前為大規模量產做好準備。
市場影響與未來展望
解決晶片尺寸的限制，將大幅提升 High-NA 設備的經濟效益與市場接受度。ASML 技術長 Marco Pieters 向路透社表示：「如果整個產業能成功實現這一目標，這些系統的生產力將提高 40%。」
此項合作被視為半導體產業延續摩爾定律的關鍵一步，將為下一代更強大的人工智慧 (AI) 與資料中心晶片的生產鋪路。這也意味著，儘管 High-NA 技術的初期成本高昂，但其長期價值正獲得業界領導者的共同認可與投入。