高塔半导体投资30亿美元扩大日本产能，获日本政府10亿美元补贴

以色列芯片制造商高塔半导体（Tower Semiconductor）周二宣布，计划投资30亿美元扩大其在日本的芯片制造业务，其中包括来自日本政府的10亿美元补贴。该消息发布后，公司在美国上市的股票（交易代码：TSEM）在盘前交易中应声上涨超过18%。

投资细节与技术重点

此次扩张旨在满足人工智能（AI）和数据中心应用日益增长的需求。投资将重点发展两项关键技术：

• 硅光子（silicon photonics）：该技术利用光在AI芯片之间更快地传输数据。
• 锗化硅（silicon-germanium）：该技术有助于制造速度更快、能效更高的半导体器件。

这项战略投资凸显了高塔半导体在高端专业芯片领域的布局，以抓住AI技术驱动下的市场机遇。

分阶段扩张计划

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该扩张项目将分两个阶段进行。第一阶段涉及将高塔半导体位于日本新井市的工厂（前身为Fab 6）改造为300毫米硅光子生产线。公司预计该工厂将于2027年第四季度前全面投入运营。

第二阶段将与第一阶段同时启动，计划在公司现有的Fab 7工厂旁新建一座300毫米制造工厂。高塔半导体首席执行官Russell Ellwanger表示：“我们预计第二阶段将为公司在2028年之后实现持续增长铺平道路。”

市场反应与财务展望

受此扩张计划提振，高塔半导体大幅上调了其财务预期。公司表示，在完成第一阶段产能扩张后，预计2028年营收将达到36亿美元，净利润将达到12亿美元。

此前的预测为2028年营收28亿美元，净利润7.5亿美元。新的业绩指引表明，公司对此次投资带来的增长潜力充满信心。