高塔半導體斥資30億美元擴大日本產能 獲政府補助鎖定AI需求

以色列晶圓代工廠高塔半導體（Tower Semiconductor）週二宣布，將投資 30億美元 擴大其在日本的晶片製造業務，其中包含日本政府提供的 10億美元 補助款。此消息激勵其在美國上市的股票（TSEM）於盤前交易中大漲超過 18%。

此項擴產計畫旨在滿足人工智慧（AI）與資料中心應用日益增長的需求。投資將聚焦於兩大關鍵技術：矽光子（silicon photonics）及矽鍺（silicon-germanium）技術。前者利用光在AI晶片之間更快速地傳輸數據，後者則能實現速度更快、更節能的半導體裝置。

兩階段擴產計畫

高塔半導體的擴張將分兩階段進行。第一階段是將其位於日本的新井廠（Arai facility，前身為 Fab 6）改造為一座300毫米（12吋）晶圓的矽光子生產設施，公司預計該廠將於 2027年第四季 全面投產。

第二階段將與第一階段同步啟動，計畫在公司現有的 Fab 7 廠旁，興建一座額外的300毫米製造廠。高塔半導體執行長 Russell Ellwanger 表示：「我們預期第二階段將為公司在2028年之後的持續增長提供路徑。」

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上修財務預測

受惠於此項產能擴張，高塔半導體大幅上調其財務預測。公司預期，在第一階段產能到位後：

• 2028年營收 將達到 36億美元，高於先前預測的28億美元。
• 2028年淨利 將達到 12億美元，遠高於先前預測的7.5億美元。

此項投資不僅強化了高塔半導體在先進製程領域的地位，也反映出各國政府為確保半導體供應鏈韌性而積極提供補貼的全球趨勢。