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中国CXMT、NANDフラッシュメモリ市場に参入計画 世界的な供給不足が背景か
Summary
中国の半導体大手CXMTが、NANDフラッシュメモリ市場への参入を計画していることが報じられた。AIサーバー向け需要の急増による世界的なメモリ不足に対応する動きとみられる。
中国の半導体メーカー、長鑫存儲技術（CXMT）がNAND型フラッシュメモリ市場への参入を準備していることが、関係者3人の話としてロイターが報じた。同社は現在DRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリ）を主力としており、事業の大きな転換となる。
北京に新拠点、NAND開発を本格化
報道によると、CXMTは北京の新工場にNANDフラッシュメモリの研究開発・生産ラインを新設する計画だ。また、同社は首都・北京に研究所を設立しており、NAND開発もそのプロジェクトに含まれているという。
CXMTはすでに顧客候補ともNAND事業計画について協議しており、その中にはAIシステムやスーパーコンピュータ向けのストレージ製品に同社製NANDチップの採用を検討している新興企業も含まれるとロイターは伝えているが、顧客名は明らかにされていない。
市場への影響と競争環境
Ad今回の動きは、DRAMを専門としてきたCXMTにとって大きな戦略転換を意味する。NAND市場に参入することで、国内の競合である長江存儲科技（YMTC）や、市場を支配する韓国のサムスン電子など、国際的な大手企業と直接競合することになる。
この事業拡大の背景には、人工知能（AI）サーバーからの旺盛な需要に起因する世界的なメモリ不足がある。この供給不足は2027年後半まで続く可能性があるとみられている。
アナリストは、主要なメモリメーカーがより利益率の高いAIアプリケーション向けのDRAM生産に注力する傾向を強めていることが、フラッシュメモリの供給をさらに圧迫する一因になっていると指摘している。CXMTの参入は、こうした市場の需給ギャップを狙ったものと考えられる。