路透：長鑫存儲擬進軍NAND快閃記憶體市場 以應對全球供應短缺

根據路透社引述三名知情人士報導，中國晶片製造商長鑫存儲 (CXMT) 正準備跨足 NAND 快閃記憶體市場，以應對由人工智慧 (AI) 伺服器需求引發的全球記憶體短缺。此舉標誌著該公司的一次重大戰略轉型。

擴張計畫細節

報導指出，長鑫存儲計劃在其位於北京的新廠區建立一條 NAND 快閃記憶體的研發產線。此外，該公司已在首都北京成立一間研究院，其研究項目便包含 NAND 技術的開發。

消息人士透露，長鑫存儲已就其 NAND 發展計畫與客戶進行討論。其中一家客戶為新創公司，計劃採購其 NAND 晶片，用於 AI 系統和超級電腦的儲存產品中，但報導並未透露該客戶的具體身份。

市場影響與戰略轉變

長鑫存儲此舉是一次關鍵的業務轉向，該公司目前的核心業務為動態隨機存取記憶體 (DRAM)。進入 NAND 市場後，長鑫存儲將與中國國內的競爭對手長江存儲 (YMTC) 在半導體產業成長最快的領域之一展開直接競爭。

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同時，這也將使該公司與目前主導該市場的三星電子 (Samsung Electronics) 等國際巨頭正面交鋒。此擴張策略顯示了中國企業在關鍵半導體領域尋求更大市佔率的企圖心。

全球記憶體短缺背景

市場分析認為，由 AI 伺服器帶來的強勁需求已造成全球性的記憶體供應短缺，這種情況預計可能持續到 2027 年底。許多主要的記憶體製造商紛紛將產能轉向利潤率更高的 AI 應用 DRAM（如 HBM），這進一步壓縮了快閃記憶體的供應。

在此背景下，長鑫存儲切入 NAND 市場，不僅是為了抓住市場機遇，也可能緩解特定應用領域的供應緊張局面。此舉的後續發展將對全球記憶體市場的競爭格局產生深遠影響。