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长鑫存储计划扩张至NAND闪存芯片领域 以应对全球供应短缺
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据路透社报道，中国芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，计划在北京建立新的研发生产线。此举旨在应对人工智能驱动的全球存储芯片短缺，并将使该公司与长江存储及三星等国内外巨头展开竞争。
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据路透社周五援引三位知情人士消息报道，中国芯片制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）正准备进入闪存芯片市场。此举标志着该公司业务重心的重大转变，旨在抓住人工智能热潮下全球存储芯片短缺的机遇。
战略重心转向NAND闪存
报道称，长鑫存储计划在其位于北京的新工厂内，建立一条专门用于NAND闪存的研发生产线。此外，该公司已在北京成立了一家研究机构，其项目亦包括NAND技术的开发。
消息人士透露，长鑫存储已就其NAND计划与客户进行了讨论，其中包括一家新成立的初创公司。该初创公司计划采购长鑫存储的NAND芯片，用于人工智能系统和超级计算机的存储产品。
这一扩张对长鑫存储而言是一次关键的战略转型。该公司正式名称为长鑫存储技术有限公司，目前的核心业务是动态随机存取存储器（DRAM）芯片。
Ad市场竞争与行业背景
进入NAND闪存市场，意味着长鑫存储将与国内竞争对手长江存储（YMTC）在半导体行业增长最快的领域之一展开直接竞争。同时，该公司还将面临来自三星电子（Samsung Electronics）等目前主导该行业的国际巨头的挑战。
此举的宏观背景是，由人工智能服务器引发的强劲需求已造成全球性的存储芯片短缺。据行业分析，这一供应紧张的状况可能持续到2027年底。
市场观察指出，许多主要的存储芯片制造商正将生产重心转向利润率更高的、用于AI应用的DRAM，这进一步加剧了NAND闪存的供应压力，为新进入者创造了市场空间。