傳 SK 海力士洽購英特爾俄亥俄州晶圓廠 擬在美建立記憶體前段產能

根據《韓國中央日報》引述知情人士消息，韓國記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 正在與英特爾 (Intel) 洽談，擬收購其位於俄亥俄州的半導體園區，目標是在五年內於該地建立記憶體晶片的前段製程產能。

此消息激勵 SK 海力士股價在報導當日大漲 8.4%，表現優於韓國 KOSPI 指數的 5.6% 漲幅，反映投資者在全球科技股反彈之際，對人工智慧相關半導體股的追捧。

交易的潛在動機

報導指出，SK 海力士目前正對此潛在收購案進行內部審查與政府批准程序，但具體的收購價格和時程仍在協商中。對 SK 海力士而言，此交易將加速其在美國的製造佈局，從現有的先進記憶體封裝擴展至晶圓製造，以滿足美國日益增長的晶片生產在地化政治壓力。

對英特爾來說，出售這座開發進度陷入困境的資產，將有助於實現資產貨幣化。此舉符合華盛頓推動建立國內半導體供應鏈的政策方向，同時為英特爾提供額外的流動資金，以支持其晶圓代工業務的重組。

英特爾俄亥俄州計畫背景

Ad

英特爾於 2022 年在俄亥俄州新奧爾巴尼 (New Albany) 破土動工，這是該公司四十年來首座在美國新建的製造基地。該園區佔地約 1,000 英畝，原先規劃最終可容納八座晶圓廠，總開發成本估計約 1,000 億美元。

在《晶片與科學法案》的激勵措施支持下，英特爾最初計畫在第一階段投資約 280 億美元 興建兩座先進晶圓廠。然而，由於其晶圓代工業務在爭取客戶方面面臨挑戰，加上製造延遲和良率問題，該計畫的雄心已被縮減。英特爾隨後將該廠的營運時間表推遲至 2030 至 2031 年之間。其晶圓代工業務去年營業虧損為 22 億美元，今年第一季再虧損 24 億美元。

迎合美國供應鏈在地化趨勢

此次收購洽談，正值美國積極推動建立完整國內半導體生態系統的背景之下。業界觀察家認為，記憶體前段 DRAM 生產是實現此目標所缺失的關鍵一環。

此舉也將與 SK 海力士現有的美國投資策略互補。該公司已在印第安納州投資 38.7 億美元 興建一座高頻寬記憶體 (HBM) 封裝廠，預計 2028 年投入營運。若俄亥俄州收購案成真，將使其在美國同時擁有前段晶圓製造與後段先進封裝的能力，大幅強化其在美國的供應鏈完整性。