SK海力士据报洽购英特尔俄亥俄州工厂，拟在美建立内存产线

据《韩国中央日报》援引知情人士消息报道，韩国存储芯片巨头SK海力士（SK Hynix）正与英特尔（Intel）公司进行洽谈，计划收购其位于俄亥俄州的半导体园区，以在美国建立前端存储芯片生产能力。

交易细节与战略意图

报道称，SK海力士正在就此潜在收购进行内部审查和政府审批流程，但具体的收购价格和时间表仍在讨论中。该公司的目标是在未来五年内，利用俄亥俄州的设施启动前端存储芯片的晶圆制造。

对于SK海力士而言，此次收购将是其在美国制造业布局的重大升级。目前，该公司已在印第安纳州投资 38.7亿美元 建设一座高带宽内存（HBM）先进封装厂，预计于2028年投产。若能收购英特尔的园区，SK海力士将把其在美国的业务从后端封装扩展至更为核心的前端晶圆制造，以响应美国政府对关键芯片制造商本土化生产的政策导向。

英特尔的考量与项目背景

该潜在交易为英特尔提供了一个机会，可以将其难以独立开发的资产货币化。英特尔于2022年在俄亥俄州破土动工建设该园区，这是其四十年来在美国的首个新制造基地，占地约1000英亩，原计划最终容纳八座晶圆厂，总开发成本估计高达 1000亿美元。

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然而，由于英特尔的代工业务在吸引客户、制造延迟和良率方面遇到挑战，其宏伟计划已被缩减。公司已将该项目的投产时间推迟至2030年至2031年之间。出售已基本完工的园区将为英特尔提供额外的流动性，以支持其代工业务的重组。财报显示，英特尔的代工部门去年运营亏损 22亿美元，今年第一季度再度亏损 24亿美元。

市场影响与行业格局

此消息传出后，市场反应积极。SK海力士股价在报道当日上涨 8.4%，表现优于大盘。对投资者而言，这笔交易不仅是两家公司间的战略调整，更符合华盛顿旨在建立完整国内半导体供应链的宏观政策。

行业观察家认为，前端DRAM生产是美国实现半导体生态系统闭环的关键缺失环节。此次潜在收购恰逢其时，此前美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）曾公开呼吁三星电子和SK海力士在美国建设生产设施。此举若能成功，将标志着美国在重塑全球半导体制造版图方面迈出重要一步。