三星電子發表新一代 AI 記憶體技術，鞏固市場龍頭地位

全球最大的記憶體晶片製造商三星電子 (Samsung Electronics) 於本週二在加州聖塔克拉拉舉行的「未來記憶體與儲存大會」(FMS) 上，發表了新一代的人工智慧 (AI) 記憶體技術，旨在鞏固其在蓬勃發展的 AI 市場中的領先地位。

新一代 V-NAND 技術亮相

三星在會中展示了其 V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) 的原型晶片。根據該公司說法，這款晶片具備以下特點：

• 採用了超過 400 層 的堆疊設計。
• 導入新的晶圓鍵合 (wafer-bonding) 架構，以提升儲存密度與效能。
• 與前一代 V9 NAND 相比，記憶體密度提高了約 58%。

三星指出，隨著 AI 工作負載從大型語言模型的訓練擴展到生成式應用的推理過程，市場對高容量 NAND 記憶體的需求隨之增加。新技術能顯著改善讀取、寫入及輸入/輸出效能，滿足 AI 系統對更高容量和更節能儲存方案的需求。

展望未來：3D 垂直堆疊記憶體

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除了 BV-NAND，三星也展示了其 zHBM 和 zNAND-O 架構的概念模型，勾勒出次世代 3D 記憶體的願景。此概念是將記憶體單元垂直堆疊，以容納更多資料。

三星解釋，傳統的高頻寬記憶體 (HBM) 是放置在 AI 處理器旁，而其 zHBM 概念則是將記憶體垂直堆疊在 AI 加速器上方。這種設計縮短了資料傳輸路徑，從而提高頻寬並改善能源效率。三星表示，此技術的記憶體密度潛力可達傳統 HBM5 的 10 倍以上，能源效率提高三倍，熱阻則降低超過一半。

AI 需求強勁支撐市場前景

儘管部分投資者擔憂，一旦中國智慧型手機需求放緩，記憶體晶片的長期需求可能受到影響，但分析師普遍認為 AI 領域的需求異常強勁。

三星上週透露，與客戶簽訂的長期協議最終可能佔其記憶體銷售額的 60% 至 70%，凸顯了 AI 需求的穩固性。此外，花旗 (Citi) 分析師在上月的一份報告中指出，儘管市場對終端需求疲軟感到擔憂，但 DRAM 和 NAND 供應鏈的庫存仍遠低於歷史水平，為市場提供了支撐。