サムスン電子、次世代AIメモリー技術を発表 高性能NANDで市場リード狙う

世界最大のメモリーチップメーカーであるサムスン電子は4日、人工知能（AI）市場の急拡大に対応する次世代メモリー技術を発表し、同分野における技術的優位性をさらに強固にする姿勢を示した。ロイター通信が報じた。

新技術「BV-NAND」の詳細

同社はカリフォルニア州サンタクララで開催された「Future of Memory and Storage (FMS)」カンファレンスで、第10世代となる「V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）」のプロトタイプを公開した。この新技術の主な特徴は以下の通りである。

• 400層以上の積層構造と新しいウェハボンディングアーキテクチャを採用。
• 従来製品（V9 NAND）と比較して、記憶密度が約58%向上。
• 読み書き速度やI/O性能も改善され、大容量かつ電力効率の高いストレージを求めるAIシステムの需要に対応する。

サムスンはまた、メモリーセルを垂直に積層してデータ容量を増やす次世代3Dメモリーの構想として、業界初となる「zHBM」や「zNAND-O」のコンセプトモデルも披露した。これにより、従来のHBM5と比較してメモリー密度を10倍以上に高められる可能性があるとしている。

AI需要の拡大が背景

Ad

今回の技術発表の背景には、AIのワークロードが大規模言語モデルの「トレーニング」から、ユーザーの質問に応答を生成する「推論」へと拡大していることがある。これにより、高性能なNANDフラッシュメモリーへの需要が急速に高まっている。

NANDフラッシュメモリーは、スマートフォンなどのデバイスで写真やアプリケーションといったデータを保存するために使用される基幹部品であり、AIの性能を左右する重要な要素となっている。

市場への影響と今後の見通し

一部の投資家からは、中国のスマートフォン需要の鈍化に伴うメモリーチップの長期的な需要への懸念も聞かれる。しかし、アナリストはAI関連の需要が「極めて強い」と指摘している。

この見方を裏付けるように、サムスンは先週、顧客との長期供給契約が最終的に同社のメモリー売上高の60%～70%を占める可能性があることを明らかにした。また、シティのアナリストは先月のレポートで、DRAMとNANDの双方でサプライチェーン全体の在庫が歴史的な低水準にあると分析しており、堅調な需要が続く可能性を示唆している。