Samsung เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำ AI รุ่นใหม่ ตอกย้ำความเป็นผู้นำตลาดชิป

Samsung Electronics เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำปัญญาประดิษฐ์ (AI) เจเนอเรชันใหม่ เพื่อตอกย้ำตำแหน่งผู้นำในตลาดชิปที่กำลังเติบโตอย่างก้าวกระโดด การประกาศดังกล่าวเกิดขึ้นในงานประชุม Future of Memory and Storage (FMS) ที่เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย

เทคโนโลยีใหม่ BV-NAND และ zHBM

Samsung ได้เปิดตัวต้นแบบ V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) ซึ่งเป็นชิปหน่วยความจำที่มีความโดดเด่นด้วยจำนวนชั้นมากกว่า 400 เลเยอร์ และใช้สถาปัตยกรรม wafer-bonding แบบใหม่ เพื่อเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลและประสิทธิภาพการทำงานให้สูงขึ้น

เทคโนโลยี BV-NAND ใหม่นี้มีคุณสมบัติที่สำคัญ ได้แก่:

• เพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำขึ้นประมาณ 58% เมื่อเทียบกับ V9 NAND รุ่นก่อนหน้า
• ปรับปรุงประสิทธิภาพด้านการอ่าน เขียน และอินพุต/เอาต์พุต (I/O) ให้ดีขึ้น
• ตอบสนองความต้องการของระบบ AI ที่ต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลความจุสูงและประหยัดพลังงานมากขึ้น

นอกจากนี้ Samsung ยังได้นำเสนอโมเดลแนวคิดของ zHBM และ zNAND-O ซึ่งเป็นวิสัยทัศน์สำหรับหน่วยความจำ 3D ในอนาคต โดย zHBM จะวางซ้อนเซลล์หน่วยความจำในแนวตั้งเหนือตัวประมวลผล AI โดยตรง ซึ่งแตกต่างจาก HBM แบบเดิมที่วางอยู่ข้างๆ กัน วิธีนี้จะช่วยลดระยะทางการเดินทางของข้อมูล เพิ่มแบนด์วิดท์ และปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานได้อย่างมาก

Ad

ความสำคัญต่อตลาดและมุมมองนักวิเคราะห์

การพัฒนาครั้งนี้เกิดขึ้นท่ามกลางความต้องการหน่วยความจำ NAND ความจุสูงที่เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง เนื่องจากปริมาณงานของ AI ได้ขยายตัวจากการฝึกฝนโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLM) ไปสู่กระบวนการสร้างคำตอบให้แก่ผู้ใช้งาน (inference) ซึ่งต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลมหาศาล

ความแข็งแกร่งของอุปสงค์จากฝั่ง AI ได้รับการยืนยันจากการเปิดเผยของ Samsung เมื่อสัปดาห์ที่แล้วว่า ข้อตกลงระยะยาวกับลูกค้าอาจมีสัดส่วนสูงถึง 60% ถึง 70% ของยอดขายหน่วยความจำทั้งหมดในอนาคต

ขณะเดียวกัน นักวิเคราะห์จาก Citi ระบุในรายงานเมื่อเดือนที่แล้วว่า แม้จะมีความกังวลเกี่ยวกับอุปสงค์ในตลาดผู้บริโภคปลายทาง เช่น สมาร์ทโฟนในจีนที่ชะลอตัว แต่ระดับสินค้าคงคลังของทั้งชิป DRAM และ NAND ในห่วงโซ่อุปทานยังคงอยู่ในระดับที่ต่ำกว่าค่าเฉลี่ยในอดีตอย่างมีนัยสำคัญ ซึ่งสะท้อนถึงอุปสงค์ที่แข็งแกร่งจากภาคส่วนอื่น โดยเฉพาะ AI