三星电子发布新一代AI内存技术，巩固市场领先地位

全球最大的存储芯片制造商三星电子周二发布了新一代人工智能内存技术，旨在巩固其在蓬勃发展的AI市场的芯片制造领先地位。该公司在美国加州圣克拉拉举行的未来内存与存储（FMS）大会上，展示了其最新的技术突破。

新一代V-NAND技术亮相

三星在此次大会上推出了其第10代V-NAND，即V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）的原型。该芯片采用全新的晶圆键合架构，拥有超过 400个 堆叠层，显著提高了存储密度和性能。

据该公司称，随着AI工作负载从大型语言模型训练扩展到推理应用，市场对高容量NAND闪存的需求日益增加。与上一代V9 NAND相比，BV-NAND技术将内存密度提高了约 58%，同时改善了读取、写入和输入/输出性能，以满足AI系统对更高容量和更优能效的存储需求。

瞄准未来：3D内存与zHBM概念

除了BV-NAND，三星还展示了其称之为业界首创的zHBM和zNAND-O架构的概念模型，勾勒了其下一代3D内存的愿景。该技术通过垂直堆叠存储单元来封装更多数据。

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与传统上并排置于AI处理器旁的高带宽内存（HBM）不同，三星的zHBM概念将内存垂直堆叠在AI加速器之上。这种设计缩短了数据传输距离，从而在提高带宽的同时提升了能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现：

• 超过传统HBM5内存 10倍 的密度
• 达到 3倍 的能源效率
• 热阻降低一半以上

市场背景与展望

尽管一些投资者对中国智能手机需求疲软可能影响内存芯片的长期需求表示担忧，但分析师普遍指出，来自人工智能领域的需求异常强劲。三星上周透露，与客户的长期协议最终可能占其内存销售额的 60%至70%，这凸显了AI需求的稳健性。

此外，花旗银行分析师在上月的一份报告中指出，尽管市场对终端需求疲软存在担忧，但DRAM和NAND供应链的库存仍远低于历史水平。三星此次发布新技术，正值AI行业对更高性能内存解决方案需求激增的关键时刻，有助于其抓住市场机遇。