獨家：長鑫存儲傳將進軍 NAND 市場，挑戰三星與長江存儲

根據路透社引述三位知情人士消息，中國晶片製造商長鑫存儲 (CXMT) 正準備進入由三星電子 (Samsung) 等外國對手主導的 NAND 快閃記憶體市場。在全球記憶體供應持續短缺的背景下，此舉將有助於長鑫存儲擴大其客戶群，並使其業務更加多元化。

北京設廠，劍指 NAND 研發

長鑫存儲是中國領先的動態隨機存取記憶體 (DRAM) 專家，而此次跨足 NAND 領域，將使其直接與國內另一家記憶體大廠長江存儲 (YMTC) 展開競爭。長江存儲是中國目前最主要的 NAND 製造商。

據其中兩位消息人士透露，長鑫存儲計劃在其位於北京的新工廠內，建立一條用於 NAND 快閃記憶體的研發產線。此外，該公司已在北京成立一個研究機構，其項目之一便包含 NAND 的開發。

第三位消息人士稱，長鑫存儲已就其 NAND 計劃與客戶進行了討論，其中包括一家新成立的新創公司，該公司打算採購其 NAND 晶片，用於人工智慧 (AI) 系統和超級電腦的儲存產品。不過，目前尚不清楚該研發產線的具體投產時間，以及長鑫存儲是否有從研發試產轉向大規模商業化生產的明確計畫。

全球短缺下的市場變局

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此策略調整的時機，正值全球記憶體市場因 AI 伺服器需求強勁而面臨嚴重短缺。產業高層普遍預計，此一短缺狀況至少將持續到 2027 年。SK 海力士 (SK Hynix) 執行長郭魯正 (Kwak Noh-jung) 曾在 7 月表示，從供應角度來看，2027 年可能是業界最嚴峻的一年。

根據市場研究機構集邦科技 (TrendForce) 的分析，由於製造商優先將資本支出投入 DRAM 和高頻寬記憶體 (HBM)，限制了 NAND 快閃記憶體的產能擴張，加劇了該領域的短缺。集邦科技預計，NAND 的供應緊張狀況要到明年下半年才可能緩解。

中國「雙雄」路線交叉

長鑫存儲與長江存儲在中國被譽為記憶體產業的「雙子星」，過去兩家公司主要在各自的市場中運營。然而，這一界線正開始變得模糊。路透社曾在 4 月報導，長江存儲已向客戶送樣低功耗 DRAM，評估進入長鑫存儲的核心市場。

在華盛頓出口管制的壓力下，北京推動晶片產業自主化的決心更為迫切。美國於 2022 年將長江存儲列入實體清單，隨後又收緊了中國取得 AI 處理器所需 HBM 晶片的管道。這兩家公司已成為中國建立自主晶片產業、縮小與國際技術差距的關鍵支柱。