长鑫存储计划进军NAND闪存市场，挑战三星及长江存储

据三位知情人士透露，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）正准备进入N-A-N-D闪存芯片市场。在全球存储芯片因人工智能需求而供应紧张的背景下，此举将使其客户基础多样化，并直接挑战三星电子等国际巨头。

此举也意味着，这家动态随机存取存储器（DRAM）专家将与国内竞争对手长江存储（YMTC）在NAND闪存领域展开正面交锋。NAND闪存是半导体行业增长最快的细分市场之一。

扩张计划与市场背景

消息人士称，长鑫存储计划在其位于北京的新工厂建立一条NAND闪存的研发生产线。此外，该公司已在北京设立一家研究院，其项目也包括NAND闪存的开发。目前尚不清楚该研发生产线何时开始运营，以及公司是否会从研发和小批量试产转向大规模商业化生产。

另一位知情人士表示，长鑫存储已与客户讨论了其NAND计划，其中包括一家新成立的初创公司，该公司计划采购长鑫存储的NAND芯片，用于人工智能系统和超级计算机的存储产品。当前，人工智能服务器的强劲需求已造成全球存储芯片短缺，行业高管认为这一状况至少将持续到2027年。

市场格局与竞争动态

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存储芯片市场主要分为两大类：DRAM为处理器提供工作内存，而NAND闪存则用于在手机、计算机和数据中心中存储数据。根据研究机构集邦咨询（TrendForce）的数据，按第二季度收入计算，三星是全球最大的NAND供应商，市场份额为29.3%，其次是SK海力士和美国的美光科技。

由于制造商优先将资本支出投向DRAM和高带宽内存（HBM），限制了NAND闪存的产能扩张，加剧了该领域的短缺。集邦咨询预计，NAND供应紧张的局面要到明年下半年才会缓解。

“双子星”的路线交叉

长鑫存储和长江存储在中国被称为存储芯片行业的“双子星”，过去两者市场领域基本独立：长鑫存储主导国内DRAM生产，而长江存储则是中国领先的NAND制造商。但如今，这一界限正变得模糊。路透社此前曾报道，长江存储已向客户送样低功耗DRAM，考虑进入长鑫存储的核心市场。

这两家公司已成为北京推动芯片产业自给自足、缩小战略技术差距的关键支柱。在美国实施出口限制后，中国发展本土存储器供应商的紧迫性进一步增加。华盛顿于2022年将长江存储列入“实体清单”，并随后收紧了中国获取用于人工智能处理器的高带宽内存（HBM）芯片的渠道。