納維塔斯半導體公司股價飆升，因獲得美國陸軍高壓晶片合約

在週一盤後交易中，Navitas Semiconductor（納斯達克股票代碼：NVTS）股價飆升 20%，此前該公司宣布被美國政府選中，負責開發下一代功率半導體。

國防合約

經過競爭性評估，美國陸軍將 ALATTIS（加速型大面積 10 kV SiC IGBT）計畫授予 Navitas。該專案旨在為超高壓 10 kV 碳化矽 (SiC) 功率裝置（包括絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 和 PiN 二極體）開發本土製造流程。

該計畫由美國陸軍研究實驗室 (ARL) 發起，旨在推進軍方關鍵任務系統的高功率電子技術發展。公告稱，Navitas 憑藉其在該領域的創新能力和美國本土製造能力，從眾多美國領先的碳化矽技術公司中脫穎而出。

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背景及公司專長

這份合約是對Navitas技術的重大認可。該公司目前的GeneSiC功率半導體產品組合涵蓋電壓等級從650V到6.5kV的產品。新項目將推動其研發進入更高的10kV電壓範圍。

Navitas高級副總裁兼首席技術官Siddarth Sundaresan表示，該合約的授予「標誌著超高壓碳化矽（SiC）功率裝置發展的一個重要里程碑」。他指出，這反映了公司在高功率SiC技術領域二十餘年的創新成就。