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나비타스 반도체 주가, 미 육군 고전압 칩 계약 수주에 힘입어 급등
Summary
미국 육군이 차세대 방산용 탄화규소 전력 반도체 개발 업체로 해당 반도체 회사를 선정했다는 소식에 따라, 이 회사의 주가는 시간외 거래에서 20% 급등했다.
나비타스 세미컨덕터(Navitas Semiconductor, NASDAQ:NVTS) 주가가 월요일 장 마감 후 시간외 거래에서 20% 급등했습니다. 이는 회사가 미국 정부로부터 차세대 전력 반도체 개발 업체로 선정되었다는 발표에 따른 것입니다.
국방 계약
미 육군은 경쟁 평가를 거쳐 나비타스에 ALATTIS(Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT) 프로그램을 수주했습니다. 이 프로젝트는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 PiN 다이오드를 포함한 초고전압 10kV 실리콘 카바이드(SiC) 전력 소자의 국내 생산 공정 개발을 목표로 합니다.
미 육군 연구소(ARL)가 주관하는 이 사업은 미군이 사용하는 임무 수행에 필수적인 시스템에 필요한 고출력 전자 기술을 발전시키는 것을 목표로 합니다. 발표에 따르면, 나비타스는 해당 분야의 혁신성과 미국 내 생산 역량을 인정받아 미국 유수의 실리콘 카바이드 기술 기업들 중에서 선정되었습니다.
Ad배경 및 회사 전문성
이번 계약은 Navitas의 기술력에 대한 중요한 인정을 의미합니다. Navitas의 GeneSiC 전력 반도체 포트폴리오는 현재 650V에서 6.5kV에 이르는 전압 정격의 제품을 포함하고 있습니다. 이번 계약을 통해 개발 영역이 훨씬 더 높은 10kV까지 확장됩니다.
Navitas의 수석 부사장 겸 최고기술책임자인 Siddarth Sundaresan은 이번 계약이 "초고전압 탄화규소(SiC) 전력 소자 개발에 있어 중요한 이정표"라고 밝혔습니다. 그는 또한 이번 계약이 Navitas가 고출력 SiC 기술 분야에서 20년 이상 쌓아온 혁신을 인정받은 것이라고 강조했습니다.