अमेरिकी सेना से हाई-वोल्टेज चिप्स का अनुबंध मिलने पर नवितस सेमीकंडक्टर के शेयरों में उछाल आया।

सोमवार को कारोबार बंद होने के बाद नवितस सेमीकंडक्टर (NASDAQ:NVTS) के शेयरों में 20% की भारी उछाल आई, जब कंपनी ने घोषणा की कि उसे अमेरिकी सरकार द्वारा अगली पीढ़ी के पावर सेमीकंडक्टर विकसित करने के लिए चुना गया है।

रक्षा अनुबंध

अमेरिकी सेना ने प्रतिस्पर्धी मूल्यांकन के बाद नवितस को ALATTIS (एक्सीलरेटेड, लार्ज-एरिया, 10 kV SiC IGBT) कार्यक्रम प्रदान किया। इस परियोजना का उद्देश्य अल्ट्रा-हाई-वोल्टेज 10 kV सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर उपकरणों, जिनमें इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (IGBT) और PiN डायोड शामिल हैं, के लिए एक घरेलू विनिर्माण प्रक्रिया विकसित करना है।

सेना अनुसंधान प्रयोगशाला द्वारा प्रायोजित यह पहल सशस्त्र बलों द्वारा उपयोग किए जाने वाले मिशन-क्रिटिकल सिस्टम के लिए उच्च-शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स को उन्नत करने के लिए डिज़ाइन की गई है। घोषणा के अनुसार, नवितस को इस क्षेत्र में अपने नवाचार और अमेरिका में स्थापित विनिर्माण क्षमताओं के कारण अग्रणी अमेरिकी सिलिकॉन कार्बाइड प्रौद्योगिकी कंपनियों में से चुना गया था।

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संदर्भ और कंपनी की विशेषज्ञता

यह अनुबंध नवितस की प्रौद्योगिकी को महत्वपूर्ण मान्यता प्रदान करता है। कंपनी के जेनेसिस आईसी पावर सेमीकंडक्टर पोर्टफोलियो में वर्तमान में 650 वोल्ट से 6.5 केवी तक की वोल्टेज रेटिंग वाले उत्पाद शामिल हैं। यह नया कार्यक्रम इसके विकास को 10 केवी की कहीं अधिक उच्च वोल्टेज रेंज तक ले जाता है।

नवितस के वरिष्ठ उपाध्यक्ष और मुख्य प्रौद्योगिकी अधिकारी सिद्धार्थ सुंदरेशन ने कहा कि यह पुरस्कार "अल्ट्रा-हाई-वोल्टेज सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) पावर उपकरणों को आगे बढ़ाने में एक महत्वपूर्ण मील का पत्थर है।" उन्होंने कहा कि यह उच्च-शक्ति एसआईसी प्रौद्योगिकियों में कंपनी के दो दशकों से अधिक के नवाचार को मान्यता देता है।