纳维塔斯半导体公司股价飙升，因获得美国陆军高压芯片合同

周一盘后交易中，Navitas Semiconductor（纳斯达克股票代码：NVTS）股价飙升 20%，此前该公司宣布被美国政府选中，负责开发下一代功率半导体。

国防合同

经过竞争性评估，美国陆军将 ALATTIS（加速型大面积 10 kV SiC IGBT）项目授予 Navitas。该项目旨在为超高压 10 kV 碳化硅 (SiC) 功率器件（包括绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和 PiN 二极管）开发本土制造工艺。

该项目由美国陆军研究实验室 (ARL) 发起，旨在推进军方关键任务系统的高功率电子技术发展。公告称，Navitas 凭借其在该领域的创新能力和美国本土制造能力，从众多美国领先的碳化硅技术公司中脱颖而出。

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背景及公司专长

这份合同是对Navitas技术的重大认可。该公司目前的GeneSiC功率半导体产品组合涵盖电压等级从650V到6.5kV的产品。新项目将推动其研发进入更高的10kV电压范围。

Navitas高级副总裁兼首席技术官Siddarth Sundaresan表示，该合同的授予“标志着超高压碳化硅（SiC）功率器件发展的一个重要里程碑”。他指出，这体现了公司在高功率SiC技术领域二十余年的创新成就。