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英特爾導入 ASML 新一代 High NA EUV 設備,用於生產 Panther Lake 筆電晶片

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Jul 15, 20261 min read
英特爾導入 ASML 新一代 High NA EUV 設備,用於生產 Panther Lake 筆電晶片

Summary

荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML) 證實,英特爾已開始採用其最新高數值孔徑 (High NA) 極紫外光 (EUV) 微影設備,生產部分旗艦級 Panther Lake 筆電處理器,此舉旨在加速學習並優化這項尖端技術。

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Background

根據半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML) 週二發布的聲明,晶片製造商英特爾 (Intel) 已決定採用其新一代高階微影設備,生產部分旗艦級 Panther Lake 筆記型電腦晶片。此舉將有助於英特爾在實際生產中累積經驗,更有效地掌握這項關鍵技術。

導入尖端設備加速學習

ASML 指出,繼 2024 年展開實驗後,英特爾已開始導入其下一代高數值孔徑 (High NA) 極紫外光 (EUV) 微影機台,用於生產 Panther Lake 處理器的特定晶片層。此舉的主要目的在於讓英特爾與 ASML 共同收集數據並優化設備,為未來更大規模的應用鋪路。

英特爾採用其 18A 製造製程來生產 Panther Lake 晶片,該製程原本就已使用 ASML 的標準 EUV 微影設備。微影技術是利用光線在晶片上繪製複雜電路圖案的核心製程。對於此次合作,英特爾拒絕發表評論。

High NA EUV 的經濟與技術挑戰

業界一直在辯論,何時才是導入 High NA EUV 設備的經濟效益最佳時機。隨著晶片上原子級的特徵尺寸不斷縮小,這項技術被視為未來晶片製造商的必要工具。

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然而,導入的門檻相當高。一台 High NA EUV 設備的成本約 4 億美元,是標準 EUV 機台的兩倍。此外,將其整合到現有生產流程中也存在相當大的技術挑戰。

背景與市場意涵

英特爾於 2024 年在其位於奧勒岡州希爾斯伯勒 (Hillsboro) 的研發基地,接收了全球第一台 High NA EUV 設備,該基地是英特爾開發最新製造技術的核心。將此先進設備用於生產 Panther Lake 這樣的主力產品,即使只是部分層別,也顯示了英特爾重返製程技術領先地位的決心。

對投資者而言,此舉意味著英特爾正積極推進其技術藍圖,並願意承擔高昂的前期成本以獲取未來在先進製程上的競爭優勢。這將是市場評估其與台積電、三星等對手競爭的關鍵觀察指標。

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