長鑫存儲科創板上市首日飆漲466%，撼動全球DRAM市場格局

中國記憶體晶片製造商長鑫存儲 (CXMT) 於 2026 年 7 月 27 日在上海科創板掛牌上市，首日股價飆漲 466%，成功募集 86 億美元，創下中國史上規模最大的半導體首次公開發行 (IPO) 紀錄。此舉不僅重塑了全球動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的競爭格局，也對市場造成了立即性的衝擊。

史上最大半導體 IPO 震撼市場

長鑫存儲 (股票代號：688825) 在上海證券交易所科創板的首次亮相，使其瞬間成為中國市值最高的上市公司之一。根據 Investing.com 的數據，其上市引發了劇烈的市場連鎖反應，導致競爭對手韓國三星 (Samsung) 和 SK 海力士 (SK Hynix) 的股價重挫超過 12%，並一度觸發韓國 KOSPI 指數的熔斷機制。

此次 IPO 的規模和首日漲幅，迫使全球晶片產業的投資人重新評估市場的競爭動態。這顯示出在國家政策支持下，中國本土半導體企業的崛起已對現有市場領導者構成實質威脅。

挑戰與擴張計畫

目前，長鑫存儲已佔據全球 DRAM 市場 7.7% 的份額，位居世界第四大生產商。儘管三星、SK 海力士和美光 (Micron) 三大巨頭合計仍掌握約 90% 的市佔率，但長鑫存儲已成為一個不容忽視的新興挑戰者。

該公司正積極利用 IPO 募集的資金進行擴張。其位於上海和合肥的新廠正在建設中，全面投產後，每月晶圓產能有望翻倍至 60 萬片以上。此外，據報導，長鑫存儲也正在與地方政府就北京亦莊開發區的第二座工廠進行初步融資談判。

面臨的技術與地緣政治限制

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然而，市場並非全然樂觀。瑞穗證券 (Mizuho) 提出較為審慎的觀點，認為長鑫存儲仍面臨顯著的制約。這些限制包括：

• 產能增長落後： 預計 2027 年位元供給年增率為 13%，低於產業平均的 21%。
• 設備取得受阻： 應用材料 (Applied Materials) 和科林研發 (Lam Research) 等美國設備商已於 2026 年 3 月暫停對其提供服務。
• 技術差距： 缺乏先進的極紫外光 (EUV) 微影技術，且在製程節點轉換期間面臨良率壓力。
• 高頻寬記憶體 (HBM) 落後： 目前尚未向中國以外的超大規模資料中心客戶銷售 HBM 產品。

瑞穗證券因此預測，長鑫存儲在 2026 至 2028 年的年均複合成長率 (CAGR) 約為 24%，與產業趨勢一致，顯示其增長將是穩健而非破壞性的供給過剩。

市場影響與投資人展望

長鑫存儲的上市對整個半導體產業鏈產生了深遠影響。除了韓國競爭對手股價受挫外，由於市場傳出中國在浸潤式深紫外光 (DUV) 微影技術上取得進展的消息，ASML 的美國存託憑證 (ADR) 股價也應聲下跌 8.5%。

從技術指標來看，長鑫存儲的股價在上市後呈現極度超買訊號，相對強弱指數 (RSI) 達到 100 的極值。這反映了市場的極端動能，但也暗示在初期狂熱消退後，股價可能面臨較高的均值回歸風險。科創板新股在經歷初期的大幅上漲後，通常會出現顯著回檔。