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长鑫存储据报已开始小批量生产HBM3E芯片,寻求突破技术封锁

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Aug 31, 20261 min read
长鑫存储据报已开始小批量生产HBM3E芯片,寻求突破技术封锁

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据报道,中国存储芯片制造商长鑫存储已启动先进HBM3E芯片的小批量生产,此举是中国在人工智能硬件领域应对美国出口管制、建立自主供应链的关键一步。

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据媒体报道,中国领先的存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)已启动先进高带宽内存(HBM)芯片的小批量生产,标志着中国在建立自主半导体生态系统、规避美国制裁方面迈出了关键一步。

此举对中国的人工智能产业发展具有重要的战略意义,因为先进存储硬件的供应一直受到美国严格出口管制的限制。

技术突破与本土生态测试

报道称,长鑫存储正在生产的是 HBM3E 芯片,这使其与全球行业领导者的技术差距缩小到仅一代。高带宽内存是人工智能(AI)加速器中的核心组件,对于处理AI模型所需的海量数据至关重要,目前全球市场正面临供应瓶颈。

据悉,包括阿里巴巴集团旗下的平头哥和寒武纪科技在内的国内芯片设计公司正在积极测试长鑫存储的HBM3E芯片样品。这些本土科技巨头的早期整合测试,将为长鑫存储提供扩大生产规模所需的关键运营反馈和生产数据,并计划最早于明年将该内存集成到商用处理器中。

挑战与现实差距

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尽管取得了技术里程碑,但长鑫存储仍面临严峻的运营挑战。报道指出,公司受困于较低的生产良率,并且在获取先进制造设备方面因西方贸易制裁而受到限制。

据估计,长鑫存储的整体HBM技术仍落后于SK海力士、三星电子和美光科技等全球主要竞争对手 三到五年。目前,这些国际巨头已开始向下一代HBM4架构迈进。长鑫存储的目标是在2027年前实现HBM3E的更广泛商业可用性。

资本市场与财务表现

此次生产突破之前,长鑫存储在上海成功进行了首次公开募股(IPO),募集了 86亿美元 用于资本支出和技术研发。上市首日,其股价飙升472%,凸显了投资者对国内半导体龙头的强烈兴趣。

在全球AI硬件周期和国内市场扩张的推动下,公司的财务状况也实现了巨大转变。长鑫存储报告称,其上半年营收飙升近十倍,达到 1503亿元人民币(约223亿美元),并实现净利润 776亿元人民币(约115亿美元),成功扭转了去年同期的亏损局面。

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