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長鑫存儲傳開始小批量產 HBM3E 記憶體 助攻中國 AI 晶片自主化

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Aug 31, 20261 min read
長鑫存儲傳開始小批量產 HBM3E 記憶體 助攻中國 AI 晶片自主化

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據外媒報導,中國記憶體龍頭長鑫存儲已開始小批量生產先進的 HBM3E 晶片,此舉被視為北京在美國制裁下,推動半導體自主生態系的關鍵一步。

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根據《The Information》報導,中國記憶體製造龍頭長鑫存儲(CXMT)已啟動先進高頻寬記憶體(HBM)的少量生產,此舉標誌著北京為規避美國制裁、建立半導體自給自足生態系的努力邁出了關鍵一步。

國產 AI 晶片獲關鍵支援

報導指出,長鑫存儲正在生產的是 HBM3E 晶片,這項技術僅落後全球行業領導者一個世代。高頻寬記憶體是人工智慧(AI)基礎設施的核心瓶頸,傳統供應商難以滿足輝達(Nvidia)等晶片設計巨頭的龐大需求。

這項進展對中國的 AI 發展具有戰略性突破意義,因為華盛頓對先進記憶體硬體的嚴格出口管制,已多次阻礙其發展。據悉,包括阿里巴巴旗下的平頭哥半導體(T-Head)和寒武紀科技(Cambricon Technologies)在內的國內晶片設計公司,正在積極測試長鑫存儲的 HBM3E 晶片,並計劃最快於明年將其整合到商用處理器中。

技術差距仍存 量產挑戰嚴峻

儘管取得了技術里程碑,長鑫存儲在營運上仍面臨嚴峻挑戰,主要來自於較低的製造良率以及受限的先進製程設備取得管道。報導引述分析稱,由於西方的貿易制裁,長鑫存儲在整體 HBM 技術上,估計仍落後 SK 海力士(SK Hynix)、三星電子(Samsung Electronics)和美光(Micron Technology)等全球領導者 3 至 5 年。

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目前全球競爭對手正邁入下一代 HBM4 架構的量產階段,而長鑫存儲的 HBM3E 初期推出目標,是希望在 2027 年前實現更廣泛的商業應用。

IPO 挹注資金 財務表現亮眼

此次生產突破之前,長鑫存儲甫於上海成功完成首次公開發行(IPO),募資 86 億美元 用於資本支出和技術開發。市場對這家中國記憶體龍頭的熱情,使其股價在上市首日飆升 472%,凸顯了投資者對國內半導體領導企業的強烈興趣。

在資金挹注的同時,受惠於全球 AI 硬體週期和國內市佔擴大,長鑫存儲的財務狀況也出現顯著好轉。該公司報告上半年營收飆升近十倍,達到人民幣 1503 億元(約 223 億美元),並成功轉虧為盈,實現淨利潤人民幣 776 億元(約 115 億美元)。

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