高塔半導體斥資30億美元擴建日本產能 獲政府補助後股價盤前飆漲

以色列晶圓代工廠高塔半導體 (Tower Semiconductor) 週二宣布，將斥資 30 億美元擴大其在日本的業務，並已獲得日本政府 10 億美元的補助。此項重大投資計畫激勵其股價在盤前交易中應聲大漲。

擴廠計畫詳情

根據公司聲明，這項擴廠計畫將分兩階段進行，旨在提升其 300mm 矽光子 (Silicon Photonics)、矽鍺 (Silicon Germanium) 及先進封裝的產能。

• 第一階段：將改造位於新井市（Arai）的六號晶圓廠 (Fab 6)，用於生產 300mm 矽光子晶圓及提供先進封裝服務。同時，也將提高位於魚津市（Uozu）的七號晶圓廠 (Fab 7) 的產量。公司預計此階段將於 2027 年第四季 全面投產。
• 第二階段：計畫在七號晶圓廠旁興建一座新的 300mm 製造設施，以增加矽光子和矽鍺的產能。此階段預計自 2029 年 開始貢獻營收，但仍取決於相關協議的簽署與完成。

財務展望與市場反應

受此擴廠計畫第一階段的推動，高塔半導體更新了其業務展望。公司目標在 2028 年 實現 36 億美元 的營收及 12 億美元 的淨利。

Ad

此消息獲得投資人正面迴響，高塔半導體 (NASDAQ: TSEM) 股價在週二盤前交易中一度大漲近 19%，反映市場對其成長前景的樂觀預期。

背景與策略意義

高塔半導體透過其持有多數股權的合資公司 TPSCo 在日本營運，該公司前身為 Panasonic Semiconductor 的製造業務。此次擴廠地點位於富山縣及新潟縣。

執行長 Russell Ellwanger 表示：「我們很榮幸且感謝日本政府選擇高塔來引領這些具有重要戰略意義的技術擴展。」此舉凸顯了日本在全球半導體供應鏈重組趨勢下，積極吸引外國晶片製造商投資的策略。