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长鑫存储计划进军NAND闪存市场，股价应声上涨超3%
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据路透社报道，中国存储芯片制造商长鑫存储计划进入NAND闪存市场，以应对人工智能引发的全球存储芯片短缺。受此消息提振，该公司股价周五上涨3.4%。
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据路透社周五报道，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）计划进入闪存芯片市场，以抓住人工智能（AI）热潮下全球存储芯片短缺的机遇。受此消息影响，该公司股价当日上涨3.4%，收于人民币55.29元。
进军NAND闪存计划详情
报道援引消息人士称，长鑫存储计划在其位于北京的新工厂建立一条NAND闪存的研发生产线。此外，该公司已在北京设立了一家研究院，其研究项目便包括NAND闪存的开发。
此举意味着长鑫存储将产品线从动态随机存取存储器（DRAM）扩展至NAND闪存领域。然而，路透社的报道同时指出，目前尚不清楚长鑫存储将于何时正式开始生产NAND闪存芯片。
Ad市场背景与战略机遇
当前，由人工智能驱动的需求激增导致全球存储芯片供应趋紧。三星（Samsung）等行业巨头正将更多产能转向利润率更高、面向AI应用的DRAM产品，这为长鑫存储等新兴企业进入闪存市场、满足未被满足的需求创造了条件。
对于长鑫存储而言，进入NAND闪存市场是一个重要的战略举措。这不仅有助于公司扩大客户基础、实现产品多元化，还能抓住当前市场供应短缺带来的宝贵机遇。此举将使长鑫存储与三星、SK海力士（SK Hynix）等全球存储巨头以及中国主要的NAND制造商长江存储（YMTC）展开直接竞争。